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IRF6613
1000
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TOP
BOTTOM
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
TOP
BOTTOM
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
100
10
2.7V
2.7V
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
10
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000.0
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
2.0
I D = 23A
VGS = 10V
100.0
10.0
TJ = 150°C
1.5
1.0
TJ = 25°C
VDS = 15V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.0
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
12
10
ID= 18A
VDS = 32V
VDS= 20V
Coss = Cds + Cgd
10000
Ciss
8
6
1000
Coss
4
Crss
2
100
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
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